[发明专利]一种使用MRAM的存储设备有效
| 申请号： | 201510428866.7 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105608014B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F12/0882 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用MRAM的存储设备，包括主机接口、主控芯片、MRAM以及一个或多个NAND芯片，MRAM包括写缓存或读写缓存以及缓存页表，缓存页表的记录包括一个缓存页的地址、缓存页对应的NAND页的地址以及最近设定时间段内的写操作次数；当需要将缓存页写回NAND芯片时，将属于总写操作次数最低的块的所有缓存页写回NAND芯片。本发明提供的使用MRAM的存储设备，将属于总写操作次数最低的块的所有缓存页回NAND芯片，从而减少写回NAND芯片的次数，延长存储设备的使用寿命；MRAM还包括缓存块表，能够快速找到总写操作次数最低的块，以及属于该块的第一个缓存页，提高清理写缓存或读写缓存的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 mram 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一种使用MRAM的存储设备，包括主机接口、主控芯片、MRAM以及一个或多个NAND芯片，所述主控芯片包括CPU，其特征在于，所述MRAM包括：写缓存或读写缓存；缓存页表，所述缓存页表的记录包括一个缓存页的地址、所述缓存页对应的NAND页的地址以及最近设定时间段段内的写操作次数；当需要将缓存页写回所述NAND芯片时，将属于同一块的缓存页的写操作次数相加，得到总写操作次数；将属于总写操作次数最低的块的所有缓存页写回所述NAND芯片；所述缓存页表的记录还包括指向属于同一个块的另一个缓存页的记录的指针；所述MRAM还包括缓存块表，所述缓存块表的记录包括一个块的地址、属于所述块的第一个缓存页的指针以及所述块的最近设定时间段内的总写操作次数。
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