[发明专利]一种MRAM芯片及其自刷新操作方法在审
| 申请号： | 201510428868.6 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105632546A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 郭一民;戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MRAM芯片，包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列与控制电路连接，控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制，MRAM存储单元的内容保存时间有限，控制电路还包括自刷新控制器与定时器，定时器在设定的自刷新周期时间到时，给自刷新控制器发送信号，自刷新控制器启动自刷新操作。本发明还提供上述MRAM芯片的自刷新操作方法。本发明提供的MRAM芯片及其自刷新操作方法，减小内容保存时间以降低操作功耗；由于不再是永久保存，需要引入自刷新技术，以保证MRAM芯片的可靠存储。这种MRAM芯片适合于对功耗要求高的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mram 芯片 及其 刷新 操作方法 | ||
【主权项】：
一种MRAM芯片，包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列与控制电路连接，所述控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制，其特征在于，所述MRAM存储单元的内容保存时间有限，所述控制电路还包括自刷新控制器与定时器，所述自刷新控制器分别与所述行地址解码器、所述列地址解码器、所述读写控制器连接，所述定时器在设定的自刷新周期时间到时，给所述自刷新控制器发送信号，所述自刷新控制器启动自刷新操作。
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