[发明专利]一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法有效
| 申请号： | 201510429332.6 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105006435B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 廖良生;王照奎;张磊 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L51/40;H01L51/48;H01L51/56 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹毅 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其特征在于制备步骤如下第一步：在ITO透明导电基板上通过真空热蒸镀法沉积或者旋涂法涂布主体材料，其中主体材料为NPB、a‑NPD、2‑TNATA、m‑MTDATA、TPD或Poly‑TPD；第二步：在第一步的主体材料表面通过真空热蒸镀法沉积或者旋涂法涂布客体材料，即得用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其中客体材料为F2‑HCNQ或F4‑TCNQ。本发明提供的制备方法使得原本需要通过共蒸掺杂的客体材料通过漂移进入主体材料中，从而达到掺杂的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体器件 空穴 传输 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其特征在于制备步骤如下：第一步：在ITO透明导电基板上通过真空热蒸镀法沉积或者旋涂法涂布主体材料，其中主体材料为NPB、a‑NPD、2‑TNATA、m‑MTDATA、TPD或Poly‑TPD；第二步：在第一步的主体材料表面通过真空热蒸镀法沉积或者旋涂法涂布客体材料，即得用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其中客体材料为F2‑HCNQ或F4‑TCNQ。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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