[发明专利]可编程的电流基准电路

摘要

本发明公开了一种可编程的电流基准电路，包括PTAT电流电路100、TIND电流电路200、译码单元300和逻辑运算单元400，所述PTAT电流电路与逻辑运算单元电连接，用于向逻辑运算单元提供PTAT电流；所述TIND电流电路与逻辑运算单元电连接，用于向逻辑运算单元提供TIND电流；所述译码单元与逻辑单元电连接，用于对PTAT电和TIND电流进行编程操作；所述逻辑运算单元用于对PTAT电流和TIND电流进行加减法运算。本发明针对常用的电流基准电路输出电流单一、不可复用、不可调节等缺点，提出了一类可编程的电流基准电路，具有可编程、微调、粗调、宽输出电流范围、不受电源影响、面积小、可复用等特征。

主权项

一种可编程的电流基准电路，其特征在于：包括PTAT电流电路（100）、TIND电流电路（200）、译码单元（300）和逻辑运算单元（400），所述PTAT电流电路与逻辑运算单元电连接，用于向逻辑运算单元提供PTAT电流；所述TIND电流电路与逻辑运算单元电连接，用于向逻辑运算单元提供TIND电流；所述译码单元与逻辑单元电连接，用于对PTAT电流电路和TIND电流电路进行编程操作；所述逻辑运算单元用于对PTAT电流和TIND电流进行加减法运算；所述逻辑算法单元包括PMOS管加法运算单元、NMOS管加法运算单元、减法运算单元、可编程的PMOS管加法运算单元和可编程的NMOS管加法运算单元；所述PMOS管加法运算单元包括第一电流源和N+1个PMOS管，所述N+1个PMOS管的栅极连接，N+1个PMOS管的源极接电源电压；所述第一电流源分别与其中一个PMOS管的漏极、栅极连接，其余PMOS管的漏极与输出端连接，所述第一电源流负极接地；所述NMOS管加法运算单元包括第二电流源和N+1个NMOS管，所述N+1个NMOS管的栅极连接，N+1个NMOS管的源极接地；所述第二电流源分别与其中一个NMOS管的漏极、栅极连接，其余NMOS管的漏极与输出端连接；所述第二电流源正极接电源电压；所述减法运算单元包括第三电流源、第四电流源、两个PMOS管和两个NMOS管，两个PMOS管的栅极连接，两个PMOS管的源极分别与电源电压连接，所述第三电流源的正极分别与其中一个PMOS管的漏极、栅极连接，第三电流源的负极接地；另一个PMOS管的漏极与输出端连接；两个NMOS管的栅极连接，两个NMOS管的源极分别与地连接，第四电流源的正极接电源电压，第四电流源的负极分别与其中一个NMOS管的漏极、栅极连接，另一个NMOS管的漏极与输出端连接；所述可编程的PMOS管加法运算单元包括第五电流源和N+1个PMOS管，所述N+1个PMOS管的栅极连接；所述N+1个PMOS管的源极接电源电压；第五电流源的正极分别与其中一个PMOS管的漏极、栅极连接，所述第五电流源的负极接地，其余N个PMOS管的漏极分别经过一个传输门与输出端连接；所述可编程的NMOS管加法运算单元包括第六电流源和N+1个NMOS管，所述N+1个NMOS管的栅极连接；N+1个NMOS管的源极分别接地，所述第六电流源正极接电源电压，第六电流源的负极分别与其中一个NMOS管的漏极、栅极连接，其余N个NMOS管的源极分别经一个传输门与输出端连接。