[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201510431079.8 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105280773B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 李东国;高建宇;柳建旭;车南求 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;陈源 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括下部结构的半导体发光器件，所述下部结构包括：至少一个发光区，其包括多个三维发光纳米结构；和至少一个电极区，其包括多个位置，其中，所述多个三维发光纳米结构和所述多个位置的布置方式相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：下部结构，该下部结构包括：至少一个发光区，其包括多个三维发光纳米结构；和至少一个电极区，其包括多个位置，所述多个位置中的每一个是非平滑的并且对应于去除除所述多个三维发光纳米结构之外的其它三维发光纳米结构中位于该位置处的一个三维发光纳米结构时在切割表面形成的形状，其中，所述多个三维发光纳米结构和所述多个位置的布置方式相同，并且所述多个三维发光纳米结构中的相邻两个的中心之间的间距、三维发光纳米结构与所述多个位置中与所述三维发光纳米结构相邻的发光纳米结构之间的间距以及所述多个位置之间的间距全部相等。
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