[发明专利]立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法有效

专利信息
申请号: 201510431621.X 申请日: 2015-07-21
公开(公告)号: CN105063568A 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 庄志杰;周钧;刘战合 申请(专利权)人: 庄志杰;周钧;刘战合
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56
代理公司: 江苏银创律师事务所 32242 代理人: 王纪营
地址: 200062 上海市普*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法,包括如下步骤:将真空系统的高真空度腔体的真空度抽到1×10-4pa,气相沉积时通入的工艺气体为氩气和氧气的混合气体;所述气相沉积采用气相沉积设备系统实现;将基体固定在自控卷绕系统的放料机构上,所述立式单鼓机构上设置有立式单鼓,所述高真空度腔体内设置有非平衡阴极;通过所述低压等离子体气体放电,在基体上制得立式单鼓常温大面积透明导电薄膜。本发明能够采用常温物理气相沉积,透明导电薄膜沉积光、电指标稳定,微观结构一致。
搜索关键词: 立式 常温 大面积 透明 导电 薄膜 沉积 方法
【主权项】:
一种立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法,其特征在于包括如下步骤:将真空系统的高真空度腔体的真空度抽到1~3×10‑4pa,气相沉积时通入的工艺气体为氩气和氧气的混合气体;所述气相沉积采用气相沉积设备系统实现,所述气相沉积设备系统包括薄膜真空沉积系统和自控卷绕系统;所述自控卷绕系统包括相连接的放料机构、立式单鼓机构和收料机构,所述薄膜真空沉积系统包括高真空度腔体;将基体固定在自控卷绕系统的放料机构上,所述立式单鼓机构上设置有立式单鼓,所述高真空度腔体内,围绕着立式单鼓周围设置有多对立式中频平面的非平衡阴极;所用基体为多层复合卷绕柔性膜,经自动分开后,环绕立式单鼓,完成磁控溅射透明导电薄膜后,再重新复合卷绕;薄膜沉积过程中,在混合气体氛围下,靶材到立式单鼓的距离为10~20cm;每对非平衡阴极上所施加的功率为10~12kw,施加在沉积靶材上的电流为25~30A;立式单鼓的表面温度为22~28℃;基体在自控卷绕系统上进行卷绕的速度为1~3m/s;通过所述低压等离子体气体放电,在基体上制得立式单鼓常温大面积透明导电薄膜。
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