[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510431806.0 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105304580B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 池元义彦;井上广司;石堂仁则;松原宽明;今泉有加里 | 申请（专利权）人： | 株式会社吉帝伟士 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘瑞东,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供低高度、低热阻的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具备支撑板(1)；半导体芯片(2)，其经由粘接层以元件电路面朝上的方式搭载于支撑板(1)的一个主面；绝缘材料层(4)，其封装半导体芯片(2)及其周边；开口，其在绝缘材料层(4)中，形成于在半导体芯片(2)的元件电路面配置的电极上；导电部(6)，其以与半导体芯片的电极连接的方式形成于开口内；布线层(5)，其在绝缘材料层(4)上以与导电部(6)连接的方式形成，一部分向半导体芯片(2)的周边区域延伸；外部电极(7)，其形成于布线层(5)上，其中支撑板(1)是构成从在半导体装置的制造过程中使用的、将多个平板层叠而成的复合支撑板分离了的复合支撑板最上层的平板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：支撑板；半导体芯片，其经由粘接层以元件电路面朝上的方式搭载于上述支撑板的一个主面；绝缘材料层，其封装上述半导体芯片及其周边；开口，其在上述绝缘材料层中，形成于在上述半导体芯片的上述元件电路面配置的电极上；导电部，其以与上述半导体芯片的上述电极连接的方式形成于上述开口内；布线层，其以在上述绝缘材料层上与上述导电部连接的方式形成，并且一部分延伸至上述半导体芯片的周边区域；以及外部电极，其形成于上述布线层上，其中，上述粘接层仅存在于支撑板的搭载半导体芯片的区域；上述支撑板是在半导体装置的制造过程中使用的将多个平板层叠而成的复合支撑板之中的、搭载有上述半导体芯片的平板，是从构成上述复合支撑板的其他平板分离了的平板，上述支撑板的厚度为50μm以下，上述半导体装置没有翘曲。
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