[发明专利]利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法

摘要

本发明公开了一种利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法，涉及半导体激光器技术领域。本方法是将宽条大功率激光器芯片的注入电极分成若干个1微米‑5微米的微元，通过离子注入、介质掩蔽等手段控制各微元的电流注入或不注入。通过电流场、光场、热场三者间的耦合计算，设计合理微区注入电流分布，以实现宽条激光器内部光场相位的稳定；各独立微区的电流注入并且各微区按位置满足某种伪随机码的控制，并且总体满足注入电流的区域分布。从而实现慢轴发散角降低，光场特性稳定的功能，并且对半导体激光器的转换效率和单元输出功率水平无明显影响。

主权项

1.一种利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法，其特征在于所述方法如下：将半导体激光器芯片(1)的注入电极(2)分成若干个矩形微元(3)，定义每个矩形微元(3)为电流注入区还是非电流注入区以及电流注入区的导电特性；通过离子注入、介质掩蔽控制各矩形微元的电流注入或不注入；对所有的矩形微元，在纵向分布上，由激光器的后腔面到前腔面逐渐增加非电流注入区数量；在横向分布上，在光场强的地方设计为非电流注入区或者导电特性差的电流注入区，在光场弱的地方设计为导电性好的电流注入区。