[发明专利]一种三电平逆变器有效
申请号: | 201510434103.3 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN106655853B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 张永辉 | 申请(专利权)人: | 维谛技术有限公司 |
主分类号: | H02M7/487 | 分类号: | H02M7/487 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 高占元 |
地址: | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种三电平逆变器,包括:第一直流源、第二直流源、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第五开关管以及第六开关管,其中,第一开关管和第四开关管为高速IGBT,第二开关管、第三开关管、第五开关管及第六开关管为低速IGBT。该发明的有益效果为:通过配置不同开关特性参数的IGBT,降低系统损耗,提高逆变器的转换效率;此外,外管使用MOSFET承受主要的开关损耗,从而提高了开关速度,降低了开关损耗,通过附加二极管解决MOSFET自带体二极管反向恢复特性较差的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 电平 逆变器 | ||
【主权项】:
1.一种三电平逆变器,其特征在于,包括:第一直流源;第二直流源,其正极与所述第一直流源的负极连接作为第一节点;第一开关管,所述第一开关管为高速IGBT,其集电极与所述第一直流源的正极连接作为第二节点;第二开关管,所述第二开关管为低速IGBT,其集电极与所述第一开关管的发射极连接作为第三节点;第三开关管,所述第三开关管为低速IGBT,其集电极与所述第二开关管的发射极连接作为第四节点;第四开关管,所述第四开关管为高速IGBT,其集电极与所述第三开关管的发射极连接作为第五节点,其发射极与所述第二直流源的负极连接作为第六节点;第五开关管,所述第五开关管为低速IGBT,其集电极连接于所述第三节点,其发射极连接于所述第一节点;第六开关管,所述第六开关管为低速IGBT,其集电极连接于所述第一节点,其发射极连接于所述第五节点;所述高速IGBT的开关特性参数不同于所述低速IGBT的开关特性参数;第一二极管,其阴极连接于所述第一开关管的集电极,其阳极连接于所述第一开关管的发射极;第二二极管,其阴极连接于所述第二开关管的集电极,其阳极连接于所述第二开关管的发射极;第三二极管,其阴极连接于所述第三开关管的集电极,其阳极连接于所述第三开关管的发射极;第四二极管,其阴极连接于所述第四开关管的集电极,其阳极连接于所述第四开关管的发射极;第五二极管,其阴极连接于所述第五开关管的集电极,其阳极连接于所述第五开关管的发射极;第六二极管,其阴极连接于所述第六开关管的集电极,其阳极连接于所述第六开关管的发射极。
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