[发明专利]抑制内部空间电荷的交联聚乙烯复合材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种抑制内部空间电荷的交联聚乙烯复合材料及其制备方法和应用，所述复合材料由低密度聚乙烯和SiC纳米粒子在交联剂的辅助下复合而成；所述SiC纳米粒子含量为1～5wt％；所述聚合物基体为低密度聚乙烯，密度分布为0.910～0.925mg/cm3，融化指数为2.1～2.2g/10min，熔点为105℃～112℃。本发明制备的XLPE/SiC复合介质，内部的空间电荷密度小于未添加纳米粒子的交联聚乙烯，说明SiC纳米粒子能够有效的改善交联聚乙烯内部的空间电荷分布，削弱电场的畸变。

主权项

抑制内部空间电荷的交联聚乙烯复合材料，其特征在于：由低密度聚乙烯和SiC纳米粒子在交联剂的辅助下复合而成；所述SiC纳米粒子含量为1~5wt%，粒径为30nm~40nm；所述交联剂为过氧化二异丙苯；聚合物基体为低密度聚乙烯，密度分布为0.910~0.925mg/cm3，融化指数为2.1~2.2g/10min，熔点为105℃~112℃；所述抑制内部空间电荷的交联聚乙烯复合材料的方法为，首先将配比量的SiC纳米粒子进行干燥，然后将干燥后的SiC纳米粒子与低密度聚乙烯基料混合均匀并于116℃条件下进行机械共混，再加入交联剂，共混后切割成颗粒状，并将颗粒状材料压制成薄膜，将颗粒状材料压制成薄膜时平板硫化机温度为180℃，压力为10MPa，压制时间为15min，薄膜厚度约为190μm，真空干燥条件下脱气处理1h。