[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201510435044.1 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN105118835A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 黄维 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;上海交通大学 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置,该制作方法包括:在栅绝缘层之上形成源极和漏极;在栅绝缘层和源极与漏极之上形成光刻胶;对光刻胶进行蚀刻形成沟道区,以露出源极和漏极之间的栅绝缘层,以及部分源极和部分漏极;在沟道区形成有源层,以覆盖漏出的栅绝缘层、部分源极和部分漏极。通过本发明的技术方案,可以先形成源极和漏极,然后通过光刻胶形成沟道区,进而在沟道区直接形成有源层,无需对形成有源层的半导体材料进行蚀刻,从而避免对有源层造成损伤。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括:在栅绝缘层之上形成源极和漏极;在所述栅绝缘层和源极与漏极之上形成光刻胶;对所述光刻胶进行蚀刻形成沟道区,以露出所述源极和漏极之间的栅绝缘层,以及部分源极和部分漏极;在所述沟道区形成有源层,以覆盖漏出的栅绝缘层、所述部分源极和所述部分漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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