[发明专利]一种全包围栅结构的制造方法

摘要

本发明提供一种全包围栅极结构的制造方法，先形成与鳍体顶部齐平的层间介质层，在第一次回刻蚀层间介质层后，形成了刻蚀比不同的三包围保护层来对暴露出的沟道区鳍体进行三包围保护，在第二次回刻蚀层间介质层后，对再次暴露的沟道区鳍体进行刻蚀以使得三包围保护层保护的沟道区鳍体悬空，进而获得全包围栅极结构。在用于悬空的刻蚀过程中，三包围保护层很好地保护了待悬空的沟道区鳍体的三个表面，避免了悬空沟道表面不必要的缺陷产生，因此本发明的技术方案工艺简单、可靠，成本低，能够提高器件性能。

主权项

一种全包围栅结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供形成有鳍体的半导体衬底，所述鳍体中形成沟道区，在所述半导体衬底表面形成与鳍体顶部齐平的层间介质层；第一次回刻蚀所述层间介质层，以暴露出一定高度的沟道区鳍体；形成包围暴露出的沟道区鳍体的顶部和侧壁表面的三包围保护层，所述三包围保护层仅覆盖在鳍体周围部分层间介质层表面上，且刻蚀比与沟道区鳍体和层间介质层均不同；第二次回刻蚀所述层间介质层，以再次暴露出一定高度的沟道区鳍体；对所述再次暴露出的沟道区鳍体进行刻蚀，使三包围保护层包围的沟道区鳍体完全悬空或者部分悬空，以获得悬空沟道；形成全包围悬空沟道暴露表面的全包围栅极结构。