[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法在审
| 申请号： | 201510435735.1 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105070353A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎由佳;村冈阳子;待永广宣;梨木智刚;宫崎司 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的透明导电性薄膜一种透明导电性薄膜，其具备：挠性透明基材、和在80℃～180℃的基板温度下通过溅射法形成于挠性透明基材上的由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层，所述挠性透明基材含有包含聚酯系树脂的透明基体薄膜，且所述透明导电层的结晶化温度为160～210℃，所述透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜，其具备：挠性透明基材、和在80℃～180℃的基板温度下通过溅射法形成于挠性透明基材上的由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层，所述挠性透明基材含有包含聚酯系树脂的透明基体薄膜，且所述透明导电层的结晶化温度为160～210℃，所述透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。
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