[发明专利]通过优化电荷释放步骤工艺条件改善球状缺陷的方法有效
| 申请号： | 201510435956.9 | 申请日： | 2015-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105140115B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王福喜;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过优化电荷释放步骤工艺条件改善球状缺陷的方法，包括：通过静电吸附盘实现对晶圆的固定；对经静电吸附盘固定的晶圆执行刻蚀工艺；执行电荷释放步骤工艺以便对刻蚀后的晶圆的正面及背面进行电荷释放；其中，在电荷释放步骤工艺中，朝向晶圆正面和/或晶圆背面导入稀有气体作为晶圆正面和/或晶圆背面上的残留电荷的载体；使得晶圆从所述静电吸附盘抬起。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 优化 电荷 释放 步骤 工艺 条件 改善 球状 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过优化电荷释放步骤工艺条件改善球状缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：用于通过静电吸附盘实现对晶圆的固定；第二步骤：用于对经静电吸附盘固定的晶圆执行刻蚀工艺；第三步骤：用于执行电荷释放步骤工艺以便对刻蚀后的晶圆的正面及背面进行电荷释放；其中，在电荷释放步骤工艺中，朝向晶圆正面和/或晶圆背面导入稀有气体作为晶圆正面和/或晶圆背面上的残留电荷的载体，朝向晶圆正面导入氩气，使氩气作为运输晶圆正面上的残留电荷的载体，朝向晶圆背面中心部分及晶圆背面边缘部分同时导入一定流量的氦气；第四步骤：用于使得晶圆从所述静电吸附盘抬起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
