[发明专利]一种氮化物纳米线的制作方法有效
| 申请号： | 201510436537.7 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104966666B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;邓和清;寻飞林;李志明;杜伟华;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;B82Y40/00 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物纳米线的制作方法，包括以下工艺步骤：（1）在衬底上外延生长氮化镓缓冲层；（2）将缓冲层蚀刻成具有间隙的均匀分布的纳米尺度的柱状缓冲层；（3）在柱状缓冲层及间隙上沉积氮化硅掩膜层；（4）将激光束聚焦在柱状缓冲层，使氮化镓分解成金属镓纳米点，生成的氮气将柱状上方的掩膜层冲破，形成金属镓纳米点的自催化的催化剂模板；（5）使用金属镓纳米点作为自催化生长的催化剂，外延生长均匀排列的氮化镓纳米线；（6）采用高温氮化方法，使纳米线顶端的金属镓纳米点反应生成氮化镓。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 纳米 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物纳米线的制作方法，包括以下工艺步骤：（1）在衬底上外延生长氮化镓缓冲层；（2）将缓冲层蚀刻成具有间隙的均匀分布的纳米尺度的柱状缓冲层，高度为10~900nm；（3）在柱状缓冲层及间隙上沉积氮化硅掩膜层，厚度为10~500 nm；（4）将激光束聚焦在柱状缓冲层，使氮化镓分解成金属镓纳米点，生成的氮气将柱状缓冲层上方的掩膜层冲破，形成金属镓纳米点的自催化的催化剂模板；（5）使用金属镓纳米点作为自催化生长的催化剂，通入III族源和V族源反应，采用金属有机化学气相沉积或分子束沉积化学气相生长方法，外延生长均匀排列的氮化镓纳米柱阵列；（6）采用高温氮化方法，使纳米柱阵列顶端的金属镓纳米点反应生成氮化镓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
