[发明专利]高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧为主要成分的金属栅膜在审
| 申请号： | 201510437044.5 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN105087966A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 高畑雅博;佐藤和幸;成田里安;乡原毅 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22B59/00 | 分类号： | C22B59/00;C22B9/22;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285;H01L29/40;C22C28/00;C01F17/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于，提供能够高效且稳定地提供高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度材料镧的溅射靶和以高纯度材料镧为主要成分的金属栅用薄膜的技术。该高纯度镧的制造方法的特征在于，以除气体成分以外的纯度为2N～3N的粗镧氧化物原料为起始材料，在450～700℃的浴温下进行熔盐电解得到镧结晶，然后在将该镧结晶进行脱盐处理后，进行电子束熔炼而除去挥发性物质。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 制造 方法 包含 溅射 主要成分 金属 | ||
【主权项】：
一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，且作为杂质的Al、Fe和Cu分别为1重量ppm以下，气体成分的总量为1000重量ppm以下，氧浓度为500重量ppm以下，作为杂质的Pb的含量为0.1重量ppm以下，作为杂质的Bi的含量为0.01重量ppm以下，作为杂质的U和Th分别为1ppb以下。
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