[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

摘要

一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，提高成膜处理的生产率，具有下述工序：通过将非同时地进行对衬底供给第一原料的工序、对衬底供给第二原料的工序和对衬底供给包含第二元素的反应物的工序作为一个循环，并进行规定次数的上述循环，由此在衬底上形成包含第一元素、第二元素及碳的膜，上述第一原料具有第一元素彼此形成的化学键，上述第二原料不具有第一元素彼此形成的化学键、而具有第一元素和碳形成的化学键。

主权项

一种半导体器件的制造方法，具有下述工序：将非同时地进行对衬底供给第一原料的工序、对所述衬底供给第二原料的工序和对所述衬底供给包含第二元素的反应物的工序作为一个循环，通过在所述第二原料所含的第一元素和碳形成的化学键的至少一部分被保持的条件下进行规定次数的所述循环，由此在所述衬底上形成包含第一元素、所述第二元素及碳的膜，所述第一原料具有第一元素彼此形成的化学键，所述第二原料不具有所述第一元素彼此形成的化学键、而具有所述第一元素和碳形成的化学键。