[发明专利]一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的SnSe2晶体；其中，沉积设备为水平管式炉，顺序设有上游低温区、中心温区以及下游低温区，所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低温区，所述衬底放置于下游低温区；利用不同温区的温度差，单质硒蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区；两者反应生成SnSe2，并通过沉积载气带入下游温区，在衬底上沉积成为二维纳米SnSe2晶体材料。利用本发明方法，制备出了厚度均匀形态一致的二维纳米SnSe2晶体材料，厚度为3～10个原子层(1～3层SnSe2的厚度)，在电子器件的应用中具有广阔前景。

主权项

一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法，其特征在于，反应区域在水平方向分为上游低温区、中心温区以及下游低温区；通过控制中心温区的温度，以及利用中心温区与上下游低温区的温差，使硒源和锡源蒸汽形成于上游低温区，并通过载气先带入中心温区反应生成SnSe2，再带入下游低温区在衬底上沉积成为厚度为3～10个原子层的二维纳米SnSe2晶体材料；所述硒源和锡源分别为单质硒和卤化锡，分别独立放置于上游低温区；所述载气由体积比为10％～30％的 H2以及体积比为70％～90％的惰性气体或 N2组成。