[发明专利]三维集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 201510438514.X | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN105118810B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;吴文进;施应庆;洪瑞斌;卢思维;郑心圃;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造三维集成电路的方法，包括：提供晶圆叠层，其中，将多个半导体管芯安装在第一半导体管芯上方；将模塑料层形成在第一半导体管芯的第一面上方，其中，将多个半导体管芯内嵌在模塑料层中。方法进一步包括：研磨第一半导体管芯的第二面直到暴露多个通孔；将晶圆附接至带框并切割晶圆叠层，从而将晶圆叠层分成多个独立封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维集成电路结构，包括：多个半导体管芯，接合在管芯的第一面上方；以及模塑料层，形成在所述管芯的所述第一面上方，其中，将所述多个半导体管芯的一部分内嵌在所述模塑料层中，并且其中，所述模塑料层暴露出所述多个半导体管芯的剩余部分的外表面；保护材料，仅形成在所述模塑料层的边缘和所述管芯的边缘之间；其中，所述多个半导体管芯包括第一半导体管芯和第二半导体管芯，所述第一半导体管芯的顶面从所述模塑料层暴露，而所述第二半导体管芯的顶面或底面均未从所述模塑料层暴露。
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