[发明专利]使用顶部后钝化技术和底部结构技术的集成电路芯片

摘要

本申请涉及使用顶部后钝化技术和底部结构技术的集成电路芯片。本发明揭示集成电路芯片和芯片封装，其包含所述集成电路芯片的顶部处的过钝化方案和所述集成电路芯片的底部处的底部方案，所述过钝化方案和底部方案使用顶部后钝化技术和底部结构技术。所述集成电路芯片可通过所述过钝化方案或所述底部方案连接到外部电路或结构，例如球栅格阵列(BGA)衬底、印刷电路板、半导体芯片、金属衬底、玻璃衬底或陶瓷衬底。还描述相关的制造技术。

主权项

一种处理器单元，其包括：耦合至处理器芯片的第一高速缓冲存储器芯片，其中所述第一高速缓冲存储器芯片通过所述第一高速缓冲存储器芯片和所述处理器芯片之间的多个微互连耦合至所述处理器芯片，其中所述多个微互连的相邻两个微互连之间的间距小于60微米；衬底，其中所述处理器单元位于所述衬底上；及位于所述衬底上的大容量存储器，其中所述大容量存储器包括第一存储器芯片和耦合至所述第一存储器芯片的第二存储器芯片，其中所述第一存储器芯片通过至少一个第一经线连接的线耦合至所述第二存储器芯片。