[发明专利]成像设备

摘要

一种成像设备，包括：像素，其中的每个像素包括：光电转换器，包括以第一半导体区域和第二半导体区域形成的p‑n结；放大晶体管，被配置为放大基于信号载流子的信号；以及电容，包括以具有与第一半导体区域相同导电类型的第三半导体区域和具有与第三半导体区域相反导电类型的第四半导体区域形成的p‑n结。在电容的p‑n结界面处的与第三半导体区域的导电类型相同导电类型的杂质的掺杂杂质浓度，高于在光电转换器的p‑n结界面处与第一半导体区域的导电类型相同导电类型的杂质的掺杂杂质浓度。

主权项

1.一种成像设备，其特征在于包括：多个像素，每个像素都包括：光电转换器，包括由第一半导体区域和第二半导体区域形成的p‑n结，并且用于在所述第二半导体区域中累积信号载流子，放大晶体管，被配置为放大基于所述信号载流子的信号，以及电容，包括由第三半导体区域和第四半导体区域形成的p‑n结，所述第三半导体区域具有与所述第一半导体区域的导电类型相同的导电类型，所述第四半导体区域具有与所述第三半导体区域的导电类型相反的导电类型，其中，所述多个像素中的每一个通过切换电容的连接状态来改变所述放大晶体管的输入节点的电容值，其中，在所述电容的所述p‑n结的界面处与所述第三半导体区域的导电类型相同的导电类型的杂质的掺杂杂质浓度，高于在所述光电转换器的p‑n结的界面处与所述第一半导体区域的导电类型相同的导电类型的杂质的掺杂杂质浓度，其中，所述放大晶体管具有在半导体衬底的主表面上设置的栅极，其中，所述第一半导体区域被设置在相对于所述主表面比所述第二半导体区域的位置更深的位置处，以及其中，所述第三半导体区域被设置在相对于所述主表面比所述第四半导体区域的位置更深的位置处。