[发明专利]半导体装置

摘要

根据本发明的半导体装置，即使IGBT芯片特性有偏差，也抑制在作为并联的IGBT芯片的基准电位侧的布线的辅助发射极布线产生的电位差。将串联的IGBT芯片T1‑T4和钳位二极管D9、D10的开关电路与串联的IGBT芯片T5‑T8和钳位二极管D11、D12的开关电路并联连接时，用电流容量大且电阻比辅助发射极布线1低的布线5连接IGBT芯片T1的发射极端子与IGBT芯片T5的发射极端子，用电流容量大且电阻比辅助发射极布线3低的布线6连接IGBT芯片T3的发射极端子与IGBT芯片T7的发射极端子。由此，开关动作时的IGBT芯片T1、T5或T3、T7的发射极端子间电位差变小，能够进行稳定的栅极驱动。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有如下电路结构：并联连接至少两个使至少两个开关元件串联连接，并在相邻的开关元件的连接部连接有钳位二极管的开关电路，并且通过基准电位布线连接向分别以在并联连接的所述开关电路间输出同一电平的电位的方式进行动作的开关元件施加同一控制信号时成为基准电位的辅助端子，其中，利用具有与开关元件的额定电流相近的电流容量且具有比所述基准电位布线的电阻低的电阻的布线将在并联连接的所述开关电路间分别连接了所述钳位二极管的所述连接部彼此连接。