[发明专利]超结结构的半导体器件及其制造方法、光刻版有效
| 申请号： | 201510444278.2 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104992963B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李敏;张邵华 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超结结构的半导体器件及其制造方法、光刻版，所述半导体器件的版图平面包括有源区以及位于所述有源区外围的分压环区域，其特征在于，所述有源区内具有沿第一方向延伸的多个第一P型掺杂区，所述多个第一P型掺杂区在第二方向上等间距排布，所述分压环区域内具有沿第一方向延伸的多个第二P型掺杂区，所述多个第二P型掺杂区在第二方向上等间距排布，所述第一P型掺杂区的击穿电压小于所述第二P型掺杂区的击穿电压，所述第二方向垂直于所述第一方向。本发明能够克服导通电阻与器件面积之间的矛盾，使得器件的击穿点始终在有源区内，保证器件正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 半导体器件 及其 制造 方法 光刻 | ||
【主权项】：
一种超结结构的半导体器件，所述半导体器件的版图平面包括有源区以及位于所述有源区外围的分压环区域，其特征在于，所述有源区内具有沿第一方向延伸的多个第一P型掺杂区，所述多个第一P型掺杂区在第二方向上等间距排布，所述分压环区域内具有沿第一方向延伸的多个第二P型掺杂区，所述多个第二P型掺杂区在第二方向上等间距排布，所述第一P型掺杂区的击穿电压小于所述第二P型掺杂区的击穿电压，所述第二方向垂直于所述第一方向；其中在所述有源区和分压环区域之间连接过渡的过渡区内，所述第一P型掺杂区和第二P型掺杂区之间断开；或者在所述有源区和分压环区域之间连接过渡的过渡区内，所述第一P型掺杂区的端部向外延伸出多个分叉部，所述分叉部与所述第二P型掺杂区相接。
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