[发明专利]TFT基板结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板结构及其制作方法。本发明的TFT基板结构的制作方法，通过在半导体层上方形成石墨烯层，在制作完第二金属层之后，以第二金属层为掩模，对所述石墨烯层进行氟离子注入，在所述石墨烯层上对应半导体层的沟道区上方形成改性区域，所述改性区域的石墨烯层具有绝缘特性以及隔绝水/氧的特性，可以对沟道区形成保护，源漏极下方的石墨烯层未经离子掺杂，仍保持石墨烯优良的导电性，从而不需要对该石墨烯层设置过孔即可实现源、漏极与半导体层的电性连接，使制备的TFT器件具有良好的I-V(电流-电压)输出性能及稳定性，减少了一道光罩制程，缩短了生产周期并降低了生产成本。

主权项

一种TFT基板结构，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极(2)、设于所述基板(1)上覆盖栅极(2)的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的半导体层(4)、设于所述半导体层(4)上的石墨烯层(5)、及设于所述石墨烯层(5)上的源、漏极(61、62)；其中，所述半导体层(4)包括沟道区(41)、及分别设于所述沟道区(41)两侧的源极接触区(42)与漏极接触区(43)；所述石墨烯层(5)包括对应于所述沟道区(41)上方的第一改性区域(51)、对应于所述源、漏极(61、62)外侧的第二改性区域(52)、及分别对应于所述源、漏极(61、62)下方的第一、第二非改性区域(53、54)，所述第一、第二改性区域(51、52)的石墨烯层(5)为掺杂了氟离子的石墨烯层，具有绝缘特性，所述第一、第二非改性区域(53、54)的石墨烯层(5)未进行任何掺杂，具有导电特性；所述源、漏极(61、62)分别经由所述第一、第二非改性区域(53、54)的石墨烯层(5)与所述半导体层(4)的源极接触区(42)、漏极接触区(43)电性连接，所述第一改性区域(51)的石墨烯层(5)覆盖所述半导体层(4)的沟道区(41)，对其形成保护。