[发明专利]一种高平整度的Ni50Mn34In12Co4合金薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510446285.6 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105018888B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 董桂馥 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/18 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙)21235 | 代理人： | 胡景波 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高平整度的Ni50Mn34In12Co4合金薄膜的制备方法。包括以下步骤按照摩尔份数比5034124分别取Ni、Mn、In、Co金属单质放置于真空非自耗电极电弧炉中熔炼；将电弧炉内抽真空至5×10‑3Pa，充入保护气，得到圆形靶材；将处理后的基板与靶材置于真空系统中，抽真空至1.0×10‑4Pa，基板与靶材距离为3～5cm；再用激光器发射激光，控制频率为3～4Hz，溅射1～3小时，制得要求厚度的薄膜；最后经过800～900℃退火0.5～3h，制备出高平整度的Ni50Mn34In12Co4铁磁性形状记忆合金薄膜。本发明制备的Ni50Mn34In12Co4合金薄膜成分更精确，粗糙度更低，各向异性强；该合金薄膜韧性好、强度大，制备工艺简单，易于工业化生产，对于微智能化和高集成化有着重要的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平整 ni sub 50 mn 34 in 12 co 合金 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高平整度的Ni50Mn34In12Co4合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：按照摩尔份数比50:34:12:4分别取纯度为99.99at.％Ni、纯度为99.95at.％Mn、纯度为99.99at.％In、纯度为99.95at.％Co金属单质放置于真空非自耗电极电弧炉中熔炼；将电弧炉内抽真空至5×10‑3Pa，充入氩气，得到圆形靶材；将处理后的基板与靶材置于真空系统中，抽真空至1.0×10‑4Pa，基板温度为550～700℃，基板与靶材距离为3～5cm；再用激光器发射激光，控制频率为4Hz，溅射2小时，制得要求厚度的薄膜；最后经过850℃退火3h，制备出高平整度的Ni50Mn34In12Co4铁磁性形状记忆合金薄膜。
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