[发明专利]一种提高相控阵雷达T/R组件质量的工艺方法有效
| 申请号： | 201510446745.5 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104987101B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡天蓉;尹山;何宏玉;洪火锋 | 申请（专利权）人： | 安徽华东光电技术研究所 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司34107 | 代理人： | 朱圣荣 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应用于相控阵雷达零部件技术领域的提高相控阵雷达T/R组件质量的工艺方法，所述的T/R组件生产时，1)在低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹锡材作为焊膏层(5)，对涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)进行加热；2)在涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)表面的凹坑部位放置补充锡材(3)；3)用烙铁对补充锡材(3)进行加热，完成凹坑部位填补；4)将上述处理后的低温共烧陶瓷基板(1)安装到组件壳体(2)内，本发明所述的工艺方法，能够有效提高温共陶瓷基板的平整度，提高了组件壳体与LTCC基板焊接的焊透率，最终有效提高了最终提高整个T/R组件的接地性能以及整体质量可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 相控阵 雷达 组件 质量 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，所述的T/R组件包括低温共烧陶瓷基板(1)、组件壳体(2)，其特征在于：所述的T/R组件生产时，1)在低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹锡材作为焊膏层(5)，对涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)进行加热；2)在涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)表面的凹坑部位放置补充锡材(3)；3)用烙铁对补充锡材(3)进行加热，完成凹坑部位填补；4)将上述处理后的低温共烧陶瓷基板(1)安装到组件壳体(2)内；在所述的低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹锡材作为焊膏层(5)前，将低温共烧陶瓷基板(1)放置到乙酸溶液中进行浸泡，浸泡完成后刷洗干净；将低温共烧陶瓷基板(1)安装到组件壳体(2)前，将组件壳体(2)放入烘箱中进行烘烤；用烙铁对补充锡材(3)进行加热时，烙铁的温度设置在300℃—450℃之间，烙铁对补充锡材(3)进行加热的加热时间持续10s—30s；在低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹焊膏层(5)后，在焊膏层(5)表面涂抹助焊剂，再在低温共烧陶瓷基板(1)表面的凹坑部位放置补充锡材(3)。
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