[发明专利]一种导电组件及其制备方法、基板、显示装置有效
| 申请号： | 201510446770.3 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105047550B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 张锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种导电组件及其制备方法、基板、显示装置，涉及显示技术领域，当该导电组件应用于显示装置中的金属走线等电极结构时，可无需再额外设置黑矩阵，避免了由于设置黑矩阵而产生的增加工艺次数、对位困难以及有效显示面积降低等问题。该导电组件包括金属层；在所述金属层的至少一侧表面上依次设置的吸光层与减反射层；其中，所述吸光层的折射率大于所述减反射层的折射率；所述减反射层远离所述吸光层的第一表面靠近于光线射入的方向。用于导电组件及包括该导电组件的基板、显示装置的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 组件 及其 制备 方法 基板 显示装置 | ||
【主权项】：
一种导电组件，其特征在于，所述导电组件包括：金属层；在所述金属层的至少一侧表面上依次设置的吸光层与减反射层；其中，所述吸光层的折射率大于所述减反射层的折射率；所述减反射层远离所述吸光层的第一表面靠近于光线射入的方向；所述吸光层由金属氧化物和/或金属氮氧化物构成；所述减反射层由金属氧化物构成；其中，所述吸光层中的氧含量小于所述减反射层中的氧含量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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