[发明专利]一种硅通孔互连结构的成形方法

摘要

本发明涉及一种硅通孔互连结构的成形方法，属于半导体封装技术领域。其工艺步骤如下提供带有硅通孔结构的硅基体；通过机械打磨的方法减薄硅基体至露出金属柱的下表面；在金属柱的下表面形成金属块；通过湿法腐蚀的方法进一步减薄硅基体下方的厚度，露出金属柱的下端；在硅基体下表面沉积钝化层Ⅱ覆盖硅基体的下表面及金属块，并开设金属块开口；在钝化层Ⅱ的表面选择性地形成再布线金属层，再布线金属层的一端通过金属块开口延伸至金属块，且与金属块固连；在再布线金属层的外层覆盖保护层。本发明通过减薄硅基体露出缺陷区域Ⅰ区，用钝化层填补该缺陷区域，解决了漏电流问题，提高了硅通孔互连结构的可靠性，且本发明的工艺的控制性更好。

主权项

一种硅通孔互连结构的成形方法，其工艺包括如下步骤：步骤一、提供带有硅通孔（12）的硅基体（1），其上表面设置有半导体工艺层（11），所述硅通孔（12）内设置金属柱（3），所述金属柱（3）与硅通孔（12）的孔壁之间沉积有钝化层Ⅰ（21）；步骤二、通过机械打磨的方法将硅基体（1）下方的厚度整体减薄至露出金属柱（3）的下表面；步骤三、依次通过溅射金属种子层、光刻、电镀工艺，在所述金属柱（3）的下表面形成厚度为h2的金属块（4）；步骤四、采用湿法腐蚀的方法将硅基体（1）下方的厚度进一步减薄，露出金属柱（3）和钝化层Ⅰ（21）的下端；步骤五、在所述硅基体（1）的下表面沉积钝化层Ⅱ（22），所述钝化层Ⅱ（22）覆盖硅基体（1）的下表面及金属块（4），并开设金属块开口（41）露出金属块（4）的下表面；步骤六、再次依次通过溅射金属种子层、光刻、电镀工艺，在钝化层Ⅱ（22）的表面选择性地形成再布线金属层（6），再布线金属层（6）的一端通过金属块开口（41）延伸至金属块（4），且与金属块（4）固连，其另一端设置输入/输出端（61）；步骤七、在再布线金属层（6）的外层覆盖保护层（7），通过光刻工艺形成保护层开口（71），露出再布线金属层（6）的输入/输出端（61）。