[发明专利]一种集成螺线管型微电感绕组线圈的通孔刻蚀方法

摘要

一种集成螺线管型微电感绕组线圈的通孔刻蚀方法，属于集成电路工艺领域。本发明采用厚度大于绝缘介质层的厚光刻胶作为刻蚀掩膜，对绝缘介质层进行刻蚀，充分利用氧气等离子体对光刻胶的去除作用，在刻蚀过程中使光刻胶在厚度方向逐步形成倾斜侧面，并在刻蚀过程中将该倾斜侧面形状传递给绝缘介质层，形成侧面倾斜的通孔，最后再进行通孔内的铜和上层线圈的电镀。本发明简化了工艺步骤，解决了通孔与上线圈接触区截面积小的问题，得到的通孔和上层线圈有良好的接触，不用增加上层线圈的厚度就能制备得到性能优良的微电感。

主权项

一种集成螺线管型微电感绕组线圈的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底基片上制备下层线圈和绝缘介质层，然后在所述绝缘介质层上涂覆厚度为7～10μm的光刻胶，曝光，显影，得到通孔的开口图形；步骤2：采用反应离子刻蚀对绝缘介质层进行刻蚀，刻蚀气体为氧气和氩气的混合气体，其中，氧气和氩气的流量比为(3～5)：1；刻蚀过程中，每刻蚀5min后停止3～5min，对基片进行散热，刻蚀速率为280nm/min，重复进行“刻蚀5min后停止3～5min”的过程数次，直至在绝缘介质层上刻蚀得到通孔；步骤3：去除剩余的光刻胶，在步骤2刻蚀通孔后得到的基片表面溅射缓冲层和种子层；然后涂覆厚度为5～10μm的光刻胶，曝光，显影，得到通孔和上层线圈图形，采用电镀工艺电镀铜，得到通孔中的铜和上层铜线圈；最后去除光刻胶、种子层和缓冲层，得到绕组线圈。