[发明专利]GaAs基pHEMT器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种GaAs基pHEMT器件及其制备方法。该器件包括由下至上依次层叠的GaAs衬底、缓冲层、第一AlGaAs势垒层、InGaAs沟道层、第二AlGaAs势垒层和N+‑GaAs层，沟道层与两个势垒层分别形成二维电子气，N+‑GaAs层上形成有源极和漏极，源极与漏极之间设有露出第二AlGaAs势垒层的凹槽，凹槽中形成有栅极，栅极与漏极之间的凹槽中设有高介电常数结区，高介电常数结区从第二AlGaAs势垒层的上表面嵌入延伸至内部，其中，源极到栅极的距离等于漏极到栅极的距离，栅极与漏极之间的凹槽横向宽度大于栅极与源极之间的凹槽横向宽度。本发明能够在不影响器件性能的情况下提高栅漏击穿电压。

主权项

一种GaAs基pHEMT器件，其特征在于，包括由下至上依次层叠的GaAs衬底、缓冲层、第一AlGaAs势垒层、InGaAs沟道层、第二AlGaAs势垒层和N+‑GaAs层，所述第一AlGaAs势垒层与所述InGaAs沟道层以及所述第二AlGaAs势垒层与所述InGaAs沟道层形成二维电子气，所述N+‑GaAs层上形成有源极和漏极，所述源极与所述漏极之间的所述N+‑GaAs层上设有露出所述第二AlGaAs势垒层的凹槽，所述凹槽中的所述第二AlGaAs势垒层上形成有栅极，所述栅极与所述漏极之间的凹槽中设有至少一个通过注入离子形成的高介电常数结区，所述高介电常数结区从第二AlGaAs势垒层的上表面嵌入延伸至第二AlGaAs势垒层内部，其中，所述源极到所述栅极的距离等于所述漏极到所述栅极的距离，所述栅极与所述漏极之间的凹槽横向宽度大于所述栅极与所述源极之间的凹槽横向宽度。