[发明专利]一种脉冲激光辅助化学气相沉积生长系统装置及用其制备低维材料的方法

摘要

本发明提供一种脉冲激光辅助化学气相沉积生长系统装置及用其制备低维材料的方法。所述装置包括激光器、加热系统、生长室、真空系统、冷却系统、载气系统、排气系统。激光器用于产生高能激光束，激光束与源材料靶材作用形成等离子体羽辉。生长室是一密封的Y型管，可先后或同时进行各种物理/化学反应。加热系统采用多温区管式炉可控加热方法，为生长室中材料生长提供所需的高温环境。本发明可先后、可同时进行脉冲激光沉积和化学气相沉积，可调节控制激光、温度、气压、反应气体等，分别或同时利用物理/化学方式达到高质量多组分的薄膜、异质结及纳米结构等材料的生长，材料体系可覆盖氧化物、半导体、金属及其复合结构等。

主权项

1.一种脉冲激光辅助化学气相沉积生长系统装置，其特征在于：该系统包括激光器、加热系统、生长室、真空系统(4)、冷却系统(26)、载气系统和排气系统(27)；所述激光器产生的激光射入生长室；所述生长室与真空系统(4)、载气系统和排气系统(27)连通，所述冷却系统(26)和生长室、真空系统(4)连接，所述冷却系统、真空系统(4)、载气系统和排气系统(27)可单独关闭和打开；所述生长室包括第一法兰(1)、第二法兰(2)、第三法兰(3)、Y型管(23)、激光挡板(22)、耐高温靶材托(9)，耐高温靶材杆(11)、磁力传送杆(6)、耐高温衬底挡板(21)、耐高温样品架(7)、料舟(10)；所述耐高温靶材杆(11)的一端连接耐高温靶材托(9)，另一端连接生长室外的电机(12)；所述磁力传送杆(6)设于生长室内耐高温靶材杆(11)相对的一侧，所述磁力传送杆(6)的一端连接耐高温衬底挡板(21)，另一端伸出生长室外。