[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201510451455.X | 申请日： | 2015-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105679359B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李星烨;池性洙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C7/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括存储体和刷新操作控制单元。存储体包括多个字线。刷新操作控制单元适用于响应智能刷新命令而对多个字线中的目标字线的第一相邻字线组执行第一刷新操作，并在第一刷新操作之后对目标字线的第二相邻字线组执行第二刷新操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储体，包括多个字线；刷新操作控制单元，适用于：响应智能刷新命令而对所述多个字线中的目标字线的第一相邻字线组执行第一刷新操作，并在所述第一刷新操作之后对所述目标字线的第二相邻字线组执行第二刷新操作。
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