[发明专利]一种带隙基准电路无效
申请号: | 201510452118.2 | 申请日: | 2015-07-28 |
公开(公告)号: | CN105138063A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 杨海钢;黄国城;尹韬 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种带隙基准电路。该带隙基准电路包括:第一负反馈环路和第二负反馈环路。其中,第一负反馈环路包括:第一PNP三极管;其发射极连接至节点X;第二PNP三极管,其发射极连接至节点Y;第一、第二和第三PMOS管,三者的漏极分别连接至节点X、节点Y和节点C;第一运算放大器,其反相输入端连接至节点X;同相输入端连接至节点Y。第二负反馈环路包括:第二运算放大器,其反相输入端连接至节点C,同相输入端连接至节点Y;第四PMOS管,其栅极连接至第二运算放大器的输出端,漏极连接至节点C,源极连接至作为基准电压的输出端。本发明具有所需电源电压低,PSR高,PSR受输出电压和温度的影响小等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种带隙基准电路,其特征在于,包括:第一负反馈环路和第二负反馈环路;所述第一负反馈环路包括:第一PNP三极管(Q1),其基极和集电极接地;发射极连接至节点X,并通过第一电阻(R1)接地;第二PNP三极管(Q2),其基极和集电极接地,发射极通过第三电阻(R3)连接至节点Y;第一PMOS管(PM1)、第二PMOS管(PM2)和第三PMOS管(PM3),三者的源极连接至电源电压(VDD);漏极分别连接至节点X、节点Y和节点C;第一运算放大器(OP1),其反相输入端连接至节点X;同相输入端连接至节点Y,并通过第二电阻(R2)连接至地;输出端连接至第一PMOS管(PM1)、第二PMOS管(PM2)、第三PMOS管(PM3)的栅极;所述第二负反馈环路包括:第二运算放大器(OP2),其反相输入端连接至节点C,同相输入端连接至节点Y;第四PMOS管(PM4),其栅极连接至第二运算放大器(OP2)的输出端,漏极连接至节点C,源极连接至作为基准电压(Vref)的输出端,并通过第四电阻(R4)连接至地。
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