[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法有效

专利信息
申请号: 201510455789.4 申请日: 2015-07-29
公开(公告)号: CN105316639B 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 木原嘉英;本田昌伸;久松亨 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C14/38 分类号: C23C14/38;H01J37/32;H01J37/34
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中,载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置,该等离子体处理装置具有:第一高频电源,其向上述第二电极供给第一高频电力;直流电源,其向上述第二电极供给直流电力;以及气体供给源,其向腔室内供给气体,上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜,上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。
搜索关键词: 第二电极 等离子体处理装置 高频电力 等离子体处理 第一电极 直流电力 溅射 相向 等离子体 室内 等离子体形成 气体供给源 高频电源 供给气体 载置基板 直流电源 配置的 电极 隔开 配置
【主权项】:
一种等离子体处理装置,载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置,该等离子体处理装置具有:第一高频电源,其向上述第二电极供给高频电力;直流电源,其向上述第二电极供给直流电力;气体供给源,其向腔室内供给气体;以及控制部,该控制部进行控制以进行如下处理:使上述气体供给源向上述腔室内供给第一气体,使上述第一高频电源向上述第二电极供给高频电力,并利用所生成的等离子体来在上述第二电极上形成反应产物的膜;以及使上述气体供给源向上述腔室内供给第二气体,使上述第一高频电源向上述第二电极供给高频电力,以及使上述直流电源向上述第二电极供给直流电力,并利用所生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射。
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