[发明专利]修复半导体衬底加工设备的真空室的方法有效
| 申请号： | 201510455824.2 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105321793B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 丹尼斯·迈克尔·豪斯曼 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种修复半导体衬底加工设备的真空室的方法包括在所述真空室的等离子体或工艺气体暴露表面上形成有机聚合物膜层。所述方法包括：(a)使气相的第一反应物二酰氯化物流入到所述真空室中；(b)在所述第一反应物停止流入之后吹扫所述真空室；(c)使选自由二胺、二醇、硫醇和三官能团化合物组成的组的气相的第二反应物流入到所述真空室中以在所述真空室的等离子体或工艺气体暴露表面上形成有机聚合物膜层；并且(d)吹扫所述真空室以从所述真空室吹扫过量的第二反应物和反应副产物。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 半导体 衬底 加工 设备 真空 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过在真空室的等离子体或工艺气体暴露表面上形成有机聚合物膜来修复半导体衬底加工设备的真空室的方法，所述方法包括：(a)使气相的第一反应物二酰氯化物流入到所述真空室中，并且允许所述第一反应物吸附在所述真空室的等离子体或工艺气体暴露表面上；(b)在所述第一反应物停止流入之后用吹扫气体吹扫所述真空室以从所述真空室吹扫过量的第一反应物；(c)使选自由二胺、二醇、硫醇和三官能团化合物组成的组的气相的第二反应物流入到所述真空室中，其中所述第一和第二反应物发生反应以在所述真空室的等离子体或工艺气体暴露表面上形成有机聚合物膜层；并且(d)在所述第二反应物停止流入之后用所述吹扫气体吹扫所述真空室以从所述真空室吹扫过量的第二反应物和反应副产物。
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