[发明专利]蚀刻含钨层的方法在审
| 申请号： | 201510455928.3 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105321816A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 向华;傅乾 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及蚀刻含钨层的方法，具体提供了一种蚀刻含钨层的方法。提供蚀刻气体，该蚀刻气体包括O2和含氟组分，其中该蚀刻气体具有的氧原子与氟原子至少一样多。等离子体是由该蚀刻气体形成的。该含钨层被由该蚀刻气体形成的等离子体蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 含钨层 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻含钨层的方法，其包括：提供蚀刻气体，所述蚀刻气体包含O2和含氟组分，其中所述蚀刻气体具有的氧原子至少与氟原子一样多；由所述蚀刻气体形成等离子体；以及用由所述蚀刻气体形成的等离子体蚀刻所述含钨层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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