[发明专利]一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管。本发明的二极管的阳极由两部分构成，一部分肖特基金属淀积在全刻蚀形成的凹槽中，形成肖特基金属-二维电子气(2DEG)接触；另一部分肖特基金属淀积部分刻蚀的凹槽中，该凹槽上还淀积了一层电介质，构成MIS结构。该MIS结构为常开型，保留了全刻蚀二极管其优良的正向特性；并且在反向电压下沟道关断，降低了器件的反向泄漏电流。本发明的有益效果为具有低开启电压、低反向漏电流等优点。本发明尤其适用于GaN异质结功率二极管。

主权项

一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管，包括衬底基片(1)、设置在衬底基片(1)上表面的GaN层(2)和设置在GaN层(2)上表面的AlMN层(3)，所述GaN层(2)和AlMN层(3)形成异质结；所述AlMN层(3)上层一侧具有欧姆接触区(4)；其特征在于，所述AlMN层(3)上层另一侧具有第一凹槽(5)，所述第一凹槽(5)贯穿AlMN层(3)并嵌入GaN层(2)中，所述第一凹槽(5)填充有第一肖特基金属(6)；所述AlMN层(3)与第一肖特基金属(6)的连接处具有第二凹槽(7)，所述第二凹槽(7)的底部及其与AlMN层(3)相连的侧壁具有介质层(8)，所述介质层(8)沿AlMN层(3)向靠近欧姆接触区(4)的方向延伸；所述第二凹槽(7)中填充有第二肖特基金属(9)，所述第二肖特基金属(9)向两侧延伸并完全覆盖在第一肖特基金属(6)的上表面和介质层(8)的上表面。