[发明专利]一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法

摘要

本发明公开了一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法，所述半导体衬底包含一个用于半导体材料外延的晶体生长面，以及一个或多个用于限制半导体材料生长的介质层表面。所述半导体材料生长方法为半导体材料选择性生长，通常情况下，所述选择性生长过程中，半导体材料只能生长在所述晶体生长面上，无法直接生长在介质层表面上，所述介质层表面用于限制选择性生长过程中半导体材料在某个方向上的生长。本发明的特殊结构衬底结合选择性生长，可以有效抑制半导体材料生长过程中的位错等缺陷的传播，从而显著提升半导体材料的质量。

主权项

一种半导体衬底，其特征在于，所述衬底包含一个位于介质层基底上的用于半导体材料生长的晶体生长面和两个位于晶体生长面两侧、且与晶体生长面相连的介质层表面，两个介质层表面向外扩展，与晶体生长面构成漏斗形结构；所述晶体生长面含有一个由单晶构成的单晶面。