[发明专利]处理装置、处理方法及电子设备的制造方法有效
| 申请号： | 201510458287.7 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105321854B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 佐藤胜广;平林英明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 有关实施方式的处理装置具备：第1供给部，向多个被处理物的表面供给第1流动体；第2供给部，向被供给了上述第1流动体的上述多个被处理物的表面供给含有升华性物质的流动体；气体供给部，向被供给了含有上述升华性物质的流动体的上述多个被处理物的表面供给气体；以及升华部，使形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有升华性物质的层升华。上述气体供给部通过控制上述多个被处理物的各自的表面上的上述气体的流速，来控制形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有上述升华性物质的层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 被处理物 升华性物质 流动体 气体供给部 处理装置 供给部 表面供给气体 电子设备 升华 制造 | ||
【主权项】：
一种处理装置，其特征在于，具备：第1供给部，向多个被处理物的表面供给第1流动体；第2供给部，向被供给了上述第1流动体的上述多个被处理物的表面供给含有升华性物质的流动体；气体供给部，向被供给了含有上述升华性物质的流动体的上述多个被处理物的表面供给气体；以及升华部，使形成在上述多个被处理物的各自的表面的含有升华性物质的层升华；上述气体供给部通过控制上述多个被处理物的各自的表面的上述气体的流速，来控制形成在上述多个被处理物的各自的表面的含有上述升华性物质的层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
