[发明专利]超级结深沟槽的制造方法有效
| 申请号： | 201510458686.3 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105047565B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 孙孝翔;熊磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结深沟槽的制造方法，包括步骤：在N型硅基片上形成硬掩膜层；进行光刻工艺定义出超级结深沟槽的形成区域；对硬掩膜层进行刻蚀；对超级结深沟槽的形成区域的硅进行刻蚀形成超级结深沟槽，通过设置超级结深沟槽的刻蚀工艺条件来改善超级结深沟槽的面内均匀性，包括通过将RF源功率调节到400W～600W以及通过将SF6和O2的气体流量比设置为大于2：1来改善超级结深沟槽的面内均匀性。本发明能改善深沟槽的深度面内均匀性，从而改善器件的击穿电压的面内均匀性。 1 | ||
| 搜索关键词： | 深沟槽 超级结 面内均匀性 硬掩膜层 刻蚀 气体流量比 功率调节 光刻工艺 击穿电压 刻蚀工艺 制造 | ||
【主权项】：
1.一种超级结深沟槽的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在N型硅基片上形成硬掩膜层；步骤二、在所述硬掩膜层上旋涂光刻胶并进行光刻形成有第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形定义出超级结深沟槽的形成区域；步骤三、以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀；去除所述第一光刻胶图形；步骤四、以刻蚀后的所述硬掩膜层为掩膜对所述超级结深沟槽的形成区域的硅进行刻蚀形成超级结深沟槽；通过设置所述超级结深沟槽的刻蚀工艺条件来改善所述超级结深沟槽的面内均匀性，通过将RF源功率调节到400W～600W使刻蚀工艺的腔室内的等离子体分布的均匀性提高，通过将SF6和O2的气体流量比设置为大于2：1来改善沉积效应不均匀所导致的面内刻蚀速率差异，结合等离子体分布均匀性的提高和沉积效应不均匀所导致的面内刻蚀速率差异的改善来改善所述超级结深沟槽的面内均匀性；所述超级结深沟槽的深度大于40微米，特征尺寸小于9微米；所述超级结深沟槽的刻蚀工艺条件的SF6气体流量为100sccm～140sccm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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