[发明专利]SONOS Flash存储器电路结构在审
| 申请号： | 201510458746.1 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105006249A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘芳芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS Flash存储器的电路结构，是由包含有一选择管及一SONOS管的存储单元组成的矩阵结构，选择管的漏极与SONOS管的源极相连，SONOS管的漏极接位线，选择管的源极接源线；所述选择管的栅极接字线，SONOS管的栅极接第二字线；位线的一端接SA控制信号；同一行上所有存储单元的选择管的栅极接对应该行的同一字线，同一行上所有存储单元的SONOS管的栅极接对应该列的同一第二字线，同一列上所有存储单元的选择管的源极接同一源线，同一列上SONOS管的漏极接同一位线；所述源线上接有一控制管，所述控制管的栅极接读写控制信号；所述控制管与SA分别位于存储单元阵列的两侧，读出路径是从SA输入端经过存储单元、源线到达位于另一侧的控制管以减少存储器读出路径。 | ||
| 搜索关键词： | sonos flash 存储器 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种SONOS Flash存储器电路结构,包括：由存储单元组成的矩阵结构，每个存储单元包含有一选择管及一SONOS管，选择管的漏极与SONOS管的源极相连，SONOS管的漏极接位线，选择管的源极接源线；所述选择管的栅极接字线，SONOS管的栅极接第二字线；位线的一端接SA控制信号；所述的存储单元以行列方式排列，位于同一行上的所有存储单元的选择管的栅极都接在对应该行的同一字线上，位于同一行上的所有存储单元的SONOS管的栅极都接在对应该列的同一第二字线上，同一列上的所有存储单元的选择管的源极都接在同一源线上，同一列上的SONOS管的漏极都接在同一位线上；所述源线上还接有一控制管，所述控制管的栅极接读写控制信号；其特征在于：所述控制管与SA分别位于存储单元阵列的两侧，读路径是从SA输入端经过存储单元、源线到达位于存储单元阵列另一侧的控制管。
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