[发明专利]沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201510458760.1 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105428405A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 御田村直树 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的沟槽型绝缘栅双极晶体管包括：形成在第1导电型漂移层(1)的表面的沟槽(10a,10b,…10e,…)、选择性地设置于该沟槽(10a,10b,…10e,…)的内侧的多个栅电极(12a,12b,12c,…)、由填充在相邻的栅电极(12a,12b,12c,…)之间的沟槽(10a,10b,…10e,…)的内侧的绝缘物构成的绝缘块(13d,13e,…)、以及形成在第1导电型漂移层(1)的与沟槽(10a,10b,…10e,…)相反一侧的面上的第2导电型集电极区域(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：沟槽，该沟槽形成于第1导电型漂移层的表面；多个栅电极，该多个栅电极选择性地设置于该沟槽的内侧；绝缘块，该绝缘块由填充在相邻的所述栅电极之间的所述沟槽的内侧的绝缘物构成；以及第2导电型集电极区域，该第2导电型集电极区域形成在所述第1导电型漂移层的与所述沟槽相反一侧的面上。
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