[发明专利]一种双接触孔刻蚀停止层制造的工艺方法

摘要

本发明提出一种双接触孔刻蚀停止层的制造方法，其通过紫外(UV)光反射层实现选择性的紫外固化(UV Cure)过程，得到有两种应力的氮化硅接触孔刻蚀停止层，即在PMOS上覆盖张应力低的氮化硅薄膜，在NMOS上覆盖张应力高的氮化硅薄膜。因此，通过本发明提出的方法，可以避免单步高张应力氮化硅沉积对PMOS器件的消极影响，同时，又可以避免两步氮化硅沉积形成双接触孔刻蚀停止层工艺的复杂性。

主权项

一种双接触孔刻蚀停止层的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：在形成有MOS器件层的表面上，采用等离子体增强化学气相沉积一层高张应力氮化硅薄膜；其中，MOS器件层包括NMOS区域和PMOS区域；步骤S2：在所述的高张应力氮化硅薄膜上沉积一层氧化硅薄膜；然后对所述的氧化硅薄膜进行平坦化；步骤S3：在所述的氧化硅薄膜上沉积一层反射膜，其中，所述反射膜的材料为金属膜、硅膜或碳膜中的一种或多种反射膜的组合；步骤S4：采用光刻和刻蚀工艺，将所述NMOS区域对应的反射膜和氧化硅去除，使所述NMOS区域的接触蚀刻终止停止层薄膜露出来；步骤S5：执行紫外固化工艺将所述NMOS区域的接触蚀刻终止停止层薄膜变成高应力的氮化硅膜；步骤S6：去除反射膜以及接触蚀刻终止停止层薄膜上覆盖的氧化硅膜，以在PMOS区域形成相对低应力的氮化硅膜；然后进入后续工艺。