[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。半导体器件的性能得到改进。在用于制造半导体器件的方法中，在存储器单元区域中，在半导体衬底的主表面之上形成由第一导电膜所形成的控制栅极电极。然后，按照覆盖控制栅极电极的方式形成绝缘膜和第二导电膜，并且对第二导电膜进行回蚀刻。结果，在控制栅极电极的侧壁之上经由绝缘膜而保留第二导电膜，从而形成存储器栅极电极。然后，在外围电路区域中，在半导体衬底的主表面中形成p型阱。在p型阱之上形成第三导电膜。然后，形成由第三导电膜所形成的栅极电极。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底的第一主表面的第一区域中，在所述半导体衬底的所述第一主表面处，形成第一绝缘膜；而在所述半导体衬底的所述第一主表面的第二区域中，在所述半导体衬底的所述第一主表面处，形成与所述第一绝缘膜在相同层处的第二绝缘膜；(c)在所述第一绝缘膜之上，形成第一导电膜；并且在所述第二绝缘膜之上，形成与所述第一导电膜在相同层处的第二导电膜；(d)将所述第一导电膜图案化，从而形成由所述第一导电膜所形成的第一栅极电极，形成由在所述第一栅极电极与所述半导体衬底之间的所述第一绝缘膜所形成的第一栅极绝缘膜，并且保留所述第二导电膜；(e)在所述第一区域中，在所述半导体衬底的所述第一主表面处、以及在所述第一栅极电极的表面处，形成在内部具有电荷累积部分的第三绝缘膜；(f)在所述第三绝缘膜之上，形成第三导电膜；(g)对所述第三导电膜进行回蚀刻，从而在所述第一栅极电极的侧壁之上经由所述第三绝缘膜而保留所述第三导电膜，并且形成第二栅极电极；(h)去除未被所述第二栅极电极覆盖的这部分所述第三绝缘膜，并且在所述第二栅极电极与所述半导体衬底之间、以及在所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间，保留所述第三绝缘膜；(i)去除所述第二导电膜；(j)在所述步骤(h)和所述步骤(i)之后，在所述第二区域中，在所述半导体衬底的所述第一主表面中，形成第一导电类型的第一半导体区域；(k)在所述第一半导体区域之上，形成第四绝缘膜；(l)在所述第四绝缘膜之上，形成第四导电膜；以及(m)将所述第四导电膜图案化，从而形成由所述第四导电膜所形成的第三栅极电极；并且在所述第三栅极电极与所述第一半导体区域之间，形成由所述第四绝缘膜所形成的第二栅极绝缘膜。