[发明专利]一种或型级联匹配线结构

摘要

本发明涉及一种匹配线结构，一种或型级联匹配线结构，由第一、二…N个单级OR型匹配线电路串联级联组成，所述每个单级OR型匹配线电路中包括比较控制模块、敏感放大器及第1、2…n个TCAM单元，所述比较控制模块与敏感放大器之间通过匹配线ML连接，所述第1、2…n个TCAM单元分别与匹配线ML并联连接，本发明由于大部分搜索操作都在第一级发生失配，无需启动后级搜索操作，且单级匹配线功耗跟TCAM单元数相关性较小，因此整体电路匹配线平均功耗不会因为字电路位数的增加而增加。同时该匹配线结构不需要对搜索线进行复位操作，有利于降低搜索线功耗。

主权项

一种或型级联匹配线结构，由第一、二…N个单级OR型匹配线电路串联级联所组成，其特征在于：所述每个单级OR型匹配线电路中包括比较控制模块、敏感放大器及第1、2…n个TCAM单元，所述比较控制模块与敏感放大器之间通过匹配线ML连接，所述第1、2…n个TCAM单元分别与匹配线ML并联连接，第一单级OR型匹配线电路中的敏感放大器输出端与第二单级OR型匹配线电路中的比较控制模块输入端相连，所述第二单级OR型匹配线电路中的敏感放大器输出端与第三单级OR型匹配线电路中的比较控制模块输入端相连，依次类推，所述第N‑1单级OR型匹配线电路中的敏感放大器输出端与第N单级OR型匹配线电路中的比较控制模块输入端相连，所述比较控制模块，包括第1、2PMOS管MP1、MP2，NMOS管MN，第1、2反相器K1、K2及一个PMOS管、一个NMOS管组成的传输门T，其中：所述第1、2PMOS管MP1、MP2的源极分别与电源VDD正极相连，所述第1PMOS管MP1栅极与第1反相器K1输出端、传输门T的NMOS管栅极相连，所述第1反相器K1输入端分别与NMOS管MN栅极、传输门T中的PMOS管栅极相连，所述第2反相器K2输出端与第2PMOS管MP2栅极相连、输入端分别与第1、2PMOS管MP1、MP2漏极及传输门T的PMOS和NMOS管源极相连，所述传输门T的PMOS和NMOS管漏极与NMOS管MN漏极相连、NMOS管MN源极直接接地。