[发明专利]SOI器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510468284.1 | 申请日： | 2015-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN105633160B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;张严波;钟健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种SOI器件及其制造方法。一示例器件可以包括：SOI衬底，包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；在SOI层中形成的位于沟道区下方的后退阱，其中后退阱偏向源区或漏区一侧；以及在基底衬底中形成的背栅，其中，背栅与后退阱电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | soi 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上半导体SOI器件，包括：SOI衬底，包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；在SOI层中形成的位于沟道区下方的后退阱，其中后退阱偏向源区或漏区一侧；以及在基底衬底中形成的背栅，其中，背栅与后退阱电耦合。
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