[发明专利]测试图形的形成方法有效
申请号: | 201510471306.X | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN106707683B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 杨青 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种测试图形的形成方法,通过对原始测试图形库中的原始测试图形进行一系列的变换,最终得到第一测试图形和第二测试图形,将所述第一测试图形和第二测试图形添加至原始测试图形库中,形成新的测试图形库。所述新的测试图形库中除了包括多个原始测试图形外,还包括第一测试图形和第二测试图形,大大丰富了新的测试图形库中的测试图形的种类和数量。因此,后续对客户提供的原始设计图形进行拆解检测时,可获得最优的、最准确的第一设计图形和第二设计图形,有助于后续形成良率更高的产品。 | ||
搜索关键词: | 测试 图形 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种测试图形的形成方法,其特征在于,包括:提供设计图形库,获得设计图形库中设计图形的最小设计线宽,并获得相邻设计图形之间的最小设计间距;提供原始测试图形库,所述原始测试图形库中具有多个原始测试图形,所述多个原始测试图形具有第一线宽,且相邻原始测试图形之间的距离为第一间距;放大所述多个原始测试图形和多个原始测试图形之间的距离,获得多个过渡测试图形,使所述多个过渡测试图形具有第二线宽,相邻过渡测试图形之间的距离为第二间距,其中,所述第二线宽为最小设计线宽的倍数,所述第二间距为最小设计间距的倍数;在相邻过渡测试图形的中心位置添加中间测试图形,所述中间测试图形的长度方向与相邻测试图形的长度方向一致;缩小所述过渡测试图形对应的倍数,得到第一测试图形,放大所述中间测试图形,得到第二测试图形,所述第一测试图形和第二测试图形均具有最小设计线宽,并且所述第一测试图形和第二测试图形之间的距离为最小设计间距;将所述第一测试图形和第二测试图形添加至原始测试图形库中,形成新的测试图形库。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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