[发明专利]利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法在审
| 申请号： | 201510471536.6 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN105152124A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 段力;卢学良;张亚非;苏言杰;李忠丽;刘阳 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 徐红银;郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法；通过对基板进行深硅刻蚀，在基板上形成一层表面凹槽作为存储空间，然后将CNTs涂覆在存储空间中，获得了一层厚度均匀的吸波薄膜。本发明中利用了凹槽存储CNTs，这相比一般的薄膜CNTs制造技术来说，CNTs的厚度可控，并且均匀度大为提高，沟道的存在，使得CNTs粉末能够长久的保存在基板表面。本发明用深刻硅技术制造出来的隐身材料工艺简单，操作方便，节约能源，成本较低，可以广泛运用于国防军事，医疗化工等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 刻蚀 技术 存储 cnts 方法 | ||
【主权项】：
一种利用深硅刻蚀技术存储CNTs的方法，其特征在于，通过对基板进行深硅刻蚀，在基板上形成一层表面凹槽作为存储空间，然后将CNTs涂覆在存储空间中，获得了一层厚度均匀的吸波薄膜。
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