[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板，本发明TFT基板的制作方法，通过对多晶硅有源层的源、漏极接触区进行蚀刻，使其高度低于中间沟道区的高度，并且将所述源、漏极接触区设计为台阶状，使得载流子在漏极接触区附近受到偏离多晶硅/栅极绝缘层界面方向电场的作用(Vds电场)，迁移路径被拉离多晶硅/栅极绝缘层界面，减少高能载子注入栅极绝缘层内，并且由于漏极接触区的台阶的存在，使得漏极接触区附近横向电场(Vds电场)峰值强度以及漏极接触区纵向电场(Vgs电场)强度均下降，夹断点往漏极接触区边缘移动，减小阈值电压漂移等，提高TFT可靠性。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在基板(1)上依次沉积缓冲层(2)与非晶硅层(21)；步骤2、对所述非晶硅层(21)进行准分子激光退火或固相晶化处理，使所述非晶硅层转化为低温多晶硅层，采用一道光刻制程对所述低温多晶硅层进行图案化处理，得到间隔设置的第一有源层(31)、第二有源层(32)；步骤3、在所述第一有源层(31)、第二有源层(32)、及基板(1)上涂布光阻层(30)，通过对所述光阻层(30)进行曝光、显影，暴露出所述第一有源层(31)的两端区域，以所述光阻层(30)为遮蔽层，对所述第一有源层(31)的两端进行N型或P型离子注入，得到分别位于所述第一有源层(31)两端的第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)；定义所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)之间的区域为第一沟道区(313)；步骤4、对所述光阻层(30)进行灰化处理，对所述第一有源层(31)的第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)进行部分刻蚀，使所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)的高度均低于所述第一沟道区(313)的高度；步骤5、剥离光阻层(30)，在所述第一有源层(31)、第二有源层(32)、及基板(1)上沉积栅极绝缘层(4)，在所述栅极绝缘层(4)上沉积第一金属层，采用一道光刻制程对该第一金属层进行图案化处理，得到分别对应于第一有源层(31)、第二有源层(32)上方的第一栅极(51)、第二栅极(52)；步骤6、在所述第一栅极(51)、第二栅极(52)上方涂布光阻层(50)，对所述光阻层(50)进行曝光、显影，暴露出第二栅极(52)以及栅极绝缘层(4)上对应于所述第二有源层(32)上方的区域；以所述第二栅极(52)为遮蔽层，对所述第二有源层(32)的两端进行P型或N型离子注入，得到分别位于所述第二有源层(32)两端的第二源极接触区(321)、第二漏极接触区(322)，定义所述第二源极接触区(321)与第二漏极接触区(322)之间的区域为第二沟道区(323)；步骤7、剥离光阻层(50)，在所述第一栅极(51)、第二栅极(52)、及栅极绝缘层(4)上沉积层间介电层(6)，采用一道光刻制程对所述层间介电层(6)及栅极绝缘层(4)进行图案化处理，在所述层间介电层(6)及栅极绝缘层(4)上对应于所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)的上方形成第一通孔(61)，对应于所述第二源极接触区(321)、第二漏极接触区(322)的上方形成第二通孔(62)；步骤8、在所述层间介电层(6)上沉积第二金属层，采用一道光刻制程对该第二金属层进行图案化处理，得到第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、第二漏极(74)，所述第一源极(71)、第一漏极(72)分别经由第一通孔(61)与所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)相接触，所述第二源极(73)、第二漏极(74)分别经由第二通孔(62)与所述第二源极接触区(321)、第二漏极接触区(322)相接触；步骤9、在所述第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、第二漏极(74)、及层间介电层(6)上涂布平坦层(8)，在所述平坦层(8)上沉积钝化层(9)，采用一道光刻制程对所述平坦层(8)及钝化层(9)进行图案化处理，在所述平坦层(8)及钝化层(9)上对应于所述第二漏极(74)的上方形成第三通孔(91)；步骤10、在所述钝化层(9)沉积透明导电氧化物层，采用一道光刻制程对所述透明导电氧化物层进行图案化处理，得到像素电极(10)，所述像素电极(10)经由第三通孔(91)与所述第二漏极(74)相接触，从而完成TFT基板的制作；经过所述步骤4的刻蚀后，所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)的上表面为低于所述第一沟道区(313)上表面的斜面，即所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)的上表面相对于所述第一沟道区(313)上表面形成一个台阶；或者，所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)的上表面包括从所述第一沟道区(313)向外侧高度依次递减的数个台阶，所述数个台阶的台阶面为平面或斜面；所述步骤4中，采用氧气对所述光阻层(30)进行灰化处理，同时在氧气中加入多晶硅刻蚀性气体对所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)进行刻蚀；或者，首先采用氧气对所述光阻层(30)进行灰化处理，然后采用光刻制程对所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)进行刻蚀。