[发明专利]阵列基板及其制备方法以及液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201510472662.3 申请日: 2015-08-04
公开(公告)号: CN105140237B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 赵瑜;卢改平;张占东;杨祖有;陈辰 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/136
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 刘华联;张少辉
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及阵列基板及其制备方法以及液晶显示器。这种阵列基板包括基底,在基底上设置有半导体层,处于半导体层上方的栅极,处于半导体层上方且分别处于栅极两侧的源极和漏极,处于栅极与源极、栅极与漏极之间的间隙内的层间绝缘层,层间绝缘层包含降低其介电常数的掺杂元素。这些掺杂元素可降低层间绝缘层的介电常数,由此可降低形成在栅极与源极以及栅极与漏极之间的电容。
搜索关键词: 层间绝缘层 半导体层 阵列基板 漏极 源极 液晶显示器 掺杂元素 介电常数 基底 制备 电容
【主权项】:
一种阵列基板,包括:基底,在所述基底上设置有半导体层,处于所述半导体层上方的栅极,处于所述半导体层上方且分别处于所述栅极两侧的源极和漏极,处于所述栅极与源极、栅极与漏极之间的间隙内的层间绝缘层,所述层间绝缘层包含降低其介电常数的掺杂元素;其中,所述层间绝缘层包括由氧硅化物形成的第一层间绝缘层,掺杂元素为掺杂在所述第一层间绝缘层内的碳、氢和氟中的一种或几种;所述层间绝缘层还包括处于所述第一层间绝缘层上方的由氮硅化合物形成的第二层间绝缘层,掺杂元素为掺杂在所述第二层间绝缘层内的碳、氢和氟。
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